特許
J-GLOBAL ID：200903028264251530
磁気制御装置および磁気制御方法ならびに磁気スイッチング装置および磁気スイッチング方法ならびに磁気記憶装置および磁気記憶方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
杉浦 正知
, 森 幸一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-289217
公開番号（公開出願番号）：特開2004-304144
出願日： 2003年08月07日
公開日（公表日）： 2004年10月28日
要約：
【課題】 新規な原理に基づいて電界効果により強磁性転移を容易に制御することができる磁気制御装置および磁気制御方法を提供する。 【解決手段】 強磁性を発現する電子系を有する第1の層と、常磁性を発現する電子系を有する第2の層とを、それらの間で電子の授受が可能なように結合させ、第1の層と第2の層との界面に垂直な成分を有する電界を印加することにより、第1の層および第2の層からなる系における電子系が発現する強磁性を制御する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
強磁性を発現する電子系を有する第1の層と、常磁性を発現する電子系を有する第2の層とが、それらの間で電子の授受が可能なように結合しており、
上記第1の層と上記第2の層との界面に垂直な成分を有する電界を印加することにより、上記第1の層および上記第2の層からなる系における電子系が発現する強磁性を制御する
ことを特徴とする磁気制御装置。
IPC (3件)：
H01L43/00
, H01L27/105
, H01L43/08
H01L43/00
, H01L43/08 S
, H01L43/08 Z
, H01L27/10 447
5F083FZ10
, 5F083HA06
, 5F083JA51
, 5F083PR21
, 5F083PR22
