特許
J-GLOBAL ID：200903028267484900
半導体装置および半導体装置のシールド形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-120828
公開番号（公開出願番号）：特開2003-318592
出願日： 2002年04月23日
公開日（公表日）： 2003年11月07日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、電子部品の高密度実装を妨げることなく簡便で確実な電磁シールドを形成することができ、さらにプリント基板の強化も同時に行うことができる半導体装置および半導体装置のシールド形成方法を提供することを課題とする。【解決手段】 シールドパック4は、熱硬化性樹脂フィルム等の熱硬化性樹脂材料からなる絶縁層9と、絶縁層9上に金属を蒸着して形成した金属層8との2層構造になっている。絶縁層9は、実装部品2、半導体部品3およびプリント基板1の表面と密着した状態で硬化されており、金属層8は、シールドパック4を貫通したグランド接続端子5と接触して接地、すなわちプリント基板1のグランド部と接続されている。グランド接続端子5は、尖端部を有し、シールドパック4をプリント基板1の表面と密着させる時に、尖端部によりシールドパック4を傷つけ突き破る。
請求項（抜粋）：
電子部品が実装されたプリント基板に電磁シールドが施されている半導体装置であって、前記電子部品および前記プリント基板に密着されて形成されている絶縁層と、該絶縁層上に形成されている金属層と、該金属層と前記プリント基板のグランド部とを接続するために前記絶縁層および前記金属層とを貫通させて設けられているグランド接続端子とを具備することを特徴とする半導体装置。
Fターム (6件)：
5E321AA14
, 5E321AA23
, 5E321BB23
, 5E321BB44
, 5E321CC21
, 5E321GG05
