窒化ケイ素配線基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-354534
公開番号（公開出願番号）：特開2001-177197
出願日： 1999年12月14日
公開日（公表日）： 2001年06月29日
要約：

【要約】【課題】パワー素子の発熱に対して優れた放熱性を有しつつ且つパワーモジュールに適用した場合の構造を簡略化し得る窒化ケイ素配線基板を得る。【解決手段】窒化ケイ素を主成分とするセラミックスからなる厚み1mm以下の絶縁基板1表面に、厚みが0.1mm以上の配線回路層2を活性金属法によって被着形成されてなる窒化ケイ素配線基板において、セラミックスの室温での抗折強度が700MPa以上であるとともに、絶縁基板1に配線基板を他の部材に固定するための貫通穴8を有し、貫通穴8の直径をAmm、絶縁基板1の厚みをTmm、絶縁基板1側端面1aから貫通穴8端部までの最短距離をLmmとしたとき、A/(L×T<SP>2</SP>)=<50の関係を満足するようにする。

請求項（抜粋）：

窒化ケイ素を主成分とするセラミックスからなる絶縁基板表面に、配線回路層が被着形成されてなる窒化ケイ素配線基板において、前記セラミックスの室温での抗折強度が700MPa以上であるとともに、該配線基板を他の部材に固着するための貫通穴が形成されており、該貫通穴の直径をAmm、前記絶縁基板の厚みをTmm、前記絶縁基板側端面から穴端部までの最短距離をLmmとしたとき、A/(L×T<SP>2</SP>)=<50の関係を満足することを特徴とする窒化ケイ素配線基板。

IPC (3件)：

H05K 1/03 610 , C04B 35/584 , H05K 1/02

FI (3件)：

H05K 1/03 610 D , H05K 1/02 C , C04B 35/58 102 Y

Fターム (24件)：

4G001BA03 , 4G001BA08 , 4G001BA32 , 4G001BA73 , 4G001BA81 , 4G001BB03 , 4G001BB06 , 4G001BB08 , 4G001BB32 , 4G001BC12 , 4G001BC13 , 4G001BC17 , 4G001BC34 , 4G001BD03 , 4G001BD14 , 4G001BD38 , 5E338AA01 , 5E338AA18 , 5E338BB02 , 5E338BB13 , 5E338BB63 , 5E338BB75 , 5E338CC01 , 5E338EE02

引用特許：

審査官引用 (8件)

半導体モジュ-ル
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-116898 出願人：株式会社東芝
高熱伝導性窒化けい素メタライズ基板,その製造方法および窒化けい素モジュール
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-296737 出願人：株式会社東芝
特許第2939444号

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