特許
J-GLOBAL ID：200903028393638130
プラズマエッチング装置、それを用いた半導体装置の製造方法およびそのモニター方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-373688
公開番号（公開出願番号）：特開2003-174015
出願日： 2001年12月07日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 従来のプラズマエッチング装置では、装置内の高周波印加電極と接続された整合器と高周波電源との間で電力測定され、反応室のインピーダンスが変化してもその変化に追従するように整合器のインピーダンスを制御装置が自動的に調整するため、プロセスの変動や装置間差を検出できず、デバイスの製造歩留りが変動するという問題があった。【解決手段】 高周波電源を有するプラズマエッチング装置において、高周波電源9の整合器20と装置内の高周波印加電極3の間に電流および電圧およびその位相差を検出する手段21を備えた。
請求項（抜粋）：
高周波電源と、前記高周波電源に接続された整合器と、前記整合器と反応室内の高周波印加電極との間に前記高周波印加電極に印加される電流および電圧およびその位相差を検出する検出手段を備えたことを特徴とするプラズマエッチング装置。
Fターム (7件)：
5F004AA16
, 5F004BA04
, 5F004BA20
, 5F004BB11
, 5F004BB18
, 5F004CB07
, 5F004DB07
