特許
J-GLOBAL ID：200903028524771052
電流密度分散用電極構造を備えた青色発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
三好 秀和 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-208868
公開番号（公開出願番号）：特開2002-094118
出願日： 2001年07月10日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 発光素子の積層構造に対して特別な変更無しに電極位置及びその延長部を改善し急速な温度増加の原因になる電流密度の集中を防止でき、且つ静電気に対する脆弱性を補強し駆動電圧を低減させる青色発光素子を提供する。【解決手段】 第1導電型窒化物系半導体層23の中心部に設けられた積層構造を含み、該積層構造に含まれる透明金属層26の一部分上に設けられた第1電極27と、積層構造により覆われない前記第1導電型窒化物系半導体層の周辺部R2上に設けられる第2電極28とを備え、前記第1電極及び第2電極の位置を変更し、該電極の延長部を形成することにより、電流密度を効率的に分散させる。
請求項（抜粋）：
略四角形状から成る絶縁基板と、前記絶縁基板の一表面上全体に亙って設けられる第1導電型窒化物系半導体層として、前記窒化物系半導体層の表面は前記窒化物系半導体層の稜の隣接する表面に沿って設けられる周辺部及び前記周辺部に囲まれる中心部とに分かれ、前記窒化物系半導体層の中心部上に設けられた積層構造として前記積層構造は、前記窒化物系半導体層上に設けられる窒化物系活性層と、前記活性層上に設けられる第2導電型窒化物系半導体層と、前記第2導電型窒化物系半導体層上に設けられる透明金属層と、及び前記透明金属層の一部分上に設けられる第1電極とを含み、前記積層構造により覆われない前記第1導電型窒化物系半導体層の周辺部上に設けられる第2電極として、前記第2電極は主部(main portion)と前記主部から帯状で延長さえる延長部とから成り、前記主部は前記第1窒化物系半導体層の表面のとなりの二辺から成る頂点部分(corner)に位置し、前記延長部は前記第1導電型窒化物系半導体層の表面の稜に隣接し、前記第1導電型窒化物系半導体層の表面の少なくとも一稜に沿ってその稜に平行に延長されることを特徴とする発光素子。
FI (2件)：
H01L 33/00 E
, H01L 33/00 C
5F041AA22
, 5F041AA43
, 5F041CA40
, 5F041CA46
, 5F041CA93
