特許
J-GLOBAL ID:200903028556436433

荷電ビーム露光装置、アパーチャ、荷電ビーム露光方法、半導体装置の製造方法、フォトマスクの製造方法、露光パターンデータ生成方法、露光パターンデータ生成装置、及び、露光パターンを生成するためのデータを記録した記録媒体

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-087930
公開番号(公開出願番号):特開2001-274071
出願日: 2000年03月28日
公開日(公表日): 2001年10月05日
要約:
【要約】【課題】 ロジック製品のような繰り返しパターンの少ない集積回路でもキャラクタ・プロジェクション(CP)露光が行なえ、CP露光を行なうことによるスループット向上の効果が得られ、荷電ビーム露光データが容易に生成できる荷電ビーム露光方法を提供する。【解決手段】 CP方式の荷電ビーム露光方法において、荷電ビームをアパーチャによりデバイス設計の際に用いられるスタンダードセルの形状に成形し、試料に縮小照射・露光を行なう。このスタンダードセルには、使用頻度のより高い、あるいは、CP露光を行なうことにより可変成形ビーム露光を行なった場合よりショット数の削減効果のより高いセルを選択する。そして、このスタンダードセルを用いて電子回路の論理合成とこのスタンダードセルの配置配線を行なう。
請求項(抜粋):
デバイス設計の際に用いられるスタンダードセルの形状の荷電ビーム成形用の透過孔を有することを特徴とするアパーチャ。
IPC (4件):
H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/82
FI (6件):
G03F 1/08 A ,  G03F 7/20 504 ,  H01L 21/30 541 B ,  H01L 21/30 541 J ,  H01L 21/82 B ,  H01L 21/82 C
Fターム (16件):
2H095BB01 ,  2H095BB02 ,  2H095BB10 ,  2H097CA16 ,  2H097GB00 ,  5F056AA04 ,  5F056AA06 ,  5F056CA04 ,  5F064AA04 ,  5F064DD02 ,  5F064DD10 ,  5F064EE02 ,  5F064EE42 ,  5F064EE43 ,  5F064HH09 ,  5F064HH12
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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