特許

J-GLOBAL ID：200903028582637803

マイクロデバイス及びその製造方法

発明者： 山口 隆行
出願人/特許権者： 株式会社リコー
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-265900
公開番号（公開出願番号）：特開2003-075386
出願日： 2001年09月03日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 Si(シリコン)基板を用いたマイクロデバイスおよびその製造方法に関し、シリコン基板に異方性エッチングにより形成した堀の上に薄膜ブリッジを形成したマイクロデバイスにおいて、堀の深さを正確にコントロールでき、良品率の向上と、堀底面や裏面の凹凸が発生しない高品質のマイクロデバイスを実現し、及びその効率的な製造方法を得る。【解決手段】 前記薄膜ブリッジが<110>方向と約30°もしくはそれと等価な角度を成すように異方性エッチングする。またその製造方法においては、Si(111)ウエハ上に形成したブリッジ材料薄膜に異方性エッチング用開口を設け、その上に保護材料を設けた後、前記異方性エッチング用開口内部を掘の深に異方性エッチングすることにより堀を形成し、該保護材料を除去した上で、Siを結晶異方性エッチングし、堀の上にブリッジする薄膜を形成する。

請求項（抜粋）：

Si(111)ウエハ表面にSi結晶異方性エッチングにより形成された掘と、前記掘上に延在された薄膜ブリッジとを備え、この薄膜ブリッジ表面に所要のセンサ用パターンまたは能動素子を配置してなるマイクロデバイスにおいて、前記薄膜ブリッジが<110>方向と約30°の角度を成すように異方性エッチングされたものであることを特徴とするマイクロデバイス。

IPC (3件)：

G01N 27/18 ,  G01N 27/12 ,  H01L 49/00

FI (4件)：

G01N 27/18 ,  G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 G ,  H01L 49/00 Z

Fターム (22件)：

2G046AA01 ,  2G046AA09 ,  2G046BA01 ,  2G046BB02 ,  2G046BB04 ,  2G046BE04 ,  2G046EA02 ,  2G046EA08 ,  2G046EA09 ,  2G046EA11 ,  2G046FB01 ,  2G046FE31 ,  2G046FE38 ,  2G060AA01 ,  2G060AB00 ,  2G060AB02 ,  2G060AE19 ,  2G060BA05 ,  2G060BB05 ,  2G060BB09 ,  2G060JA01 ,  2G060JA02

引用特許：

審査官引用 (6件)

• マイクロセンサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-041485   出願人：株式会社リコー
• 熱式フローセンサおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-238248   出願人：株式会社リコー, リコーエレメックス株式会社, リコー精器株式会社
• 電熱器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-268056   出願人：株式会社リコー, リコーエレメックス株式会社
• マイクロブリッジ形状を有する薄膜素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-350513   出願人：株式会社リコー, リコーエレメックス株式会社, リコー精器株式会社
• 特開昭59-143945
  
• 特開昭61-053733
  

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Micromachining on (111)-oriented silicon