研磨方法およびその装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270267
公開番号（公開出願番号）：特開2000-094303
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月04日
要約：

【要約】【課題】化学機械研磨加工において、研磨能率と研磨量均一性を維持しつつ、ドレシングによる研磨パッド消耗量を低減し、しかも研磨パッドの見かけ上の剛性を低下させることなく、ウェハ基板等の被加工物の表面を0.3μm以下の精度で平坦化することが可能となる研磨方法およびその装置を提供することにある。【解決手段】本発明は、表面において被加工物の中央部付近が研磨される領域2における溝の密度を、被加工物の周辺部付近が研磨される領域1、3における溝の密度に対して高めて形成した研磨パッド6を移動させ、該研磨パッドの表面に対して被加工物5を所望の研磨圧で押し付けながら回転させて前記研磨パッドの移動方向に対して交差する方向に揺動させることによって、前記研磨パッド6の表面と被加工物5の表面との間に供給されたスラリー13の化学的および機械的な作用によって被加工物の表面を研磨することを特徴とする研磨方法およびその装置である。

請求項（抜粋）：

表面において少なくとも隣接した領域間では異ならしめた密度分布を持つ溝群を複数の領域の各々に形成した研磨パッドの表面に対して被加工物を所望の研磨圧で押し付けながら摺動させることによって、前記研磨パッドの表面と被加工物の表面との間に供給されたスラリーの化学的および機械的な作用によって被加工物の表面を研磨することを特徴とする研磨方法。

IPC (4件)：

B24B 37/00 , B24B 37/04 , H01L 21/304 621 , H01L 21/304 622

FI (4件)：

B24B 37/00 C , B24B 37/04 G , H01L 21/304 621 D , H01L 21/304 622 F

Fターム (11件)：

3C058AA07 , 3C058AA09 , 3C058AA11 , 3C058AA12 , 3C058AB01 , 3C058AC04 , 3C058BA02 , 3C058BA05 , 3C058BA09 , 3C058CB10 , 3C058DA12

引用特許：

審査官引用 (4件)

化学的機械研磨装置で使用するためのみぞ付パターンを有する研磨パッド
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-171993 出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
半導体製造装置及び半導体装置の製造方法及び平面研磨布
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-225149 出願人：セイコーエプソン株式会社
研磨布および研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-040212 出願人：日本電気株式会社

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