特許
J-GLOBAL ID：200903028694509484

バンプ形成方法及びバンプ形成用ボンディングツール、半導体ウエーハ、半導体チップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者：
小山 裕吾

小山 裕吾 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (1件)： 井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-341110
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150560
出願日： 1998年11月13日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：
【要約】【課題】 広いボンディング領域が確保されたバンプを容易に形成することができるバンプ形成方法及びバンプ形成用ボンディングツール、半導体ウエーハ、半導体チップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある。【解決手段】 ボール状に形成された先端部14を有する導電線16の先端部14を、第1のツール20によって電極12にボンディングするとともに、先端部14における導電線16が導き出される中央部13の周囲であって外周端部15を避ける部分を、第1のツール20によって押圧して塑性変形させる第1工程と、先端部14を電極12に残して導電線16を切断する第2工程と、先端部14の少なくとも中央部13を、第2のツール32によって押圧して塑性変形させる第3工程と、を含む。
請求項（抜粋）：
ボール状に形成された先端部を有する導電線の前記先端部を、第1のツールによって電極にボンディングするとともに、前記先端部における前記導電線が導き出される中央部の周囲であって外周端部を避ける部分を、前記第1のツールによって押圧して塑性変形させる第1工程と、前記先端部を前記電極に残して前記導電線を切断する第2工程と、前記先端部の少なくとも前記中央部を、第2のツールによって押圧して塑性変形させる第3工程と、を含むバンプ形成方法。
IPC (2件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311
FI (3件)：
H01L 21/92 604 J ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 G
Fターム (10件)：
5F044BB01 ,  5F044CC05 ,  5F044KK17 ,  5F044KK19 ,  5F044LL00 ,  5F044MM03 ,  5F044MM13 ,  5F044MM31 ,  5F044QQ02 ,  5F044QQ04
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM