特許
J-GLOBAL ID：200903028719917353

半導体ウェーハの評価方法

発明者：
木村 明浩

木村 明浩 について

, 
中野 安次

中野 安次 について

, 
矢ケ崎 善範

矢ケ崎 善範 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-325772
公開番号（公開出願番号）：特開2002-134577
出願日： 2000年10月25日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 エピタキシャルウエーハのエピタキシャル成長プロセスにおいてエピ欠陥が発生するか否かを、エピタキシャル成長プロセス前のシリコンウエーハあるいはシリコン単結晶の段階において、製造工程に取り入れられるほどの簡便さで評価する方法を提供する。【解決手段】 半導体ウエーハに特定のプロセスを施すことにより発生するプロセス誘起欠陥と前記特定のプロセスを施す前の半導体ウエーハ中に存在する結晶欠陥の分布との関係を予め求めておく工程と、評価対象である半導体ウエーハ中に存在する前記結晶欠陥の分布を測定し、該結晶欠陥の分布から前記関係に基づいて、評価対象である半導体ウエーハに特定のプロセスを施した後のプロセス誘起欠陥の発生の有無を予測する工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
請求項（抜粋）：
半導体ウエーハに特定のプロセスを施すことにより発生するプロセス誘起欠陥と前記特定のプロセスを施す前の半導体ウエーハ中に存在する結晶欠陥の分布との関係を予め求めておく工程と、評価対象である半導体ウエーハ中に存在する前記結晶欠陥の分布を測定し、該結晶欠陥の分布から前記関係に基づいて、評価対象である半導体ウエーハに特定のプロセスを施した後のプロセス誘起欠陥の発生の有無を予測する工程とを有することを特徴とする半導体ウエーハの評価方法。
Fターム (10件)：
4M106AA01 ,  4M106BA04 ,  4M106BA10 ,  4M106BA12 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  4M106DH01 ,  4M106DH12 ,  4M106DH56 ,  4M106DJ20
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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