特許
J-GLOBAL ID：200903034327418073
エピタキシャルウェーハの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-286586
公開番号（公開出願番号）：特開2001-106594
出願日： 1999年10月07日
公開日（公表日）： 2001年04月17日
要約：
【要約】【課題】エピタキシャル欠陥密度を低減したエピタキシャルウェーハを製造することができる。【解決手段】(1) 窒素がドープされ、OSFリング領域の酸素濃度が9×1017atoms/cm3以下であるシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。(2) 窒素がドープされ、OSFリング領域の内径がウェーハ径の85%以上の位置に存在するように育成されたシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェーハの製造方法。(3) 窒素が1×1012atoms/cm3以上、1×1014atoms/cm3以下の濃度でドープされ、引き上げ速度が1.2mm/min以上の条件で育成されたシリコン単結晶ウェーハを用いたエピタキシャルウェハの製造方法である。(4) 窒素が1×1012atoms/cm3以上、1×1014atoms/cm3未満の濃度でドープされて育成されたシリコン単結晶ウェーハに1200°C〜1300°Cの温度範囲で1分間以上の熱処理を施した後、エピタキシャル層を成長させるエピタキシャルウェーハの製造方法。
請求項（抜粋）：
窒素がドープされ、酸化誘起積層欠陥リング領域の酸素濃度が9×1017atoms/cm3以下であるシリコン単結晶から切り出されたウェーハにエピタキシャル層を成長させることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C30B 29/06 A
, C30B 25/02 Z
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EH09
, 4G077FE11
