特許
J-GLOBAL ID：200903028765526466

半導体装置の製造方法

発明者：
西岡 浩

西岡 浩 について

, 
鄒 紅コウ

鄒 紅コウ について


出願人/特許権者：
株式会社アルバック

株式会社アルバック について


代理人 (2件)： 恩田 博宣 ,  恩田 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-080301
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244018
出願日： 2007年03月26日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
要約：
【課題】抵抗変化型メモリ素子の抵抗変化の安定性と抵抗変化比を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】基板11を酸化物チャンバF3に搬入し、チタンを主成分とする第一ターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタさせてチタン酸化物からなる酸化物層を形成し、酸化物層を有する基板11を照射チャンバF4に搬入し、酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して可変抵抗体を形成した。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
可変抵抗体を含む記憶素子を基板の上に形成して半導体装置を製造する半導体装置の製造方法であって、 Ti、Ni、Cu、Hf、Zr、Zn、W、Co、Nb、Al、Si、Fe、Bi、La、Pr、Mn、Ca,Srからなる群から選択される少なくともいずれか1つの元素、もしくは選択せれる前記元素と酸素または窒素との化合物を主成分とするターゲットを酸素雰囲気の下でスパッタして遷移金属酸化物を生成し、前記遷移金属酸化物を主成分とする酸化物層を前記基板の上に成膜する工程と、 前記酸化物層の表面にさらに酸素ラジカルを照射して前記可変抵抗体を形成する工程と、を備えたこと、 を特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 27/10 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/203 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/58 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (7件)：
H01L27/10 451 ,  H01L21/88 B ,  H01L21/203 S ,  C23C14/08 E ,  C23C14/58 Z ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
Fターム (50件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA43 ,  4K029BA44 ,  4K029BA45 ,  4K029BA46 ,  4K029BA47 ,  4K029BA48 ,  4K029BA49 ,  4K029BB02 ,  4K029BB03 ,  4K029BC05 ,  4K029BD01 ,  4K029CA05 ,  4K029GA00 ,  4K029GA02 ,  5F033HH03 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH35 ,  5F033MM05 ,  5F033PP15 ,  5F033QQ00 ,  5F033QQ53 ,  5F033RR03 ,  5F033SS08 ,  5F033VV09 ,  5F033VV16 ,  5F033WW03 ,  5F083FZ10 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA60 ,  5F083LA12 ,  5F083LA16 ,  5F083PR22 ,  5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103BB42 ,  5F103DD30 ,  5F103JJ01 ,  5F103JJ03 ,  5F103NN01 ,  5F103PP20
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (6件)
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