特許
J-GLOBAL ID：200903047600891814

金属酸化物素子及びその製造方法

発明者：
神 好人

神 好人 について

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酒井 英明

酒井 英明 について

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嶋田 勝

嶋田 勝 について

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榎本 陽一

榎本 陽一 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-224065
公開番号（公開出願番号）：特開2007-042784
出願日： 2005年08月02日
公開日（公表日）： 2007年02月15日
要約：
【課題】より安定に状態の保持が得られるなど、金属酸化物から構成された材料を用いて安定した動作が得られる金属酸化物素子を提供する。【解決手段】単結晶シリコンからなる基板101の上に絶縁層102,共通に設けられた下部電極層103,BiとTiとOとから構成された膜厚30〜200nm程度の複数の金属酸化物層104,金属酸化物層104毎に設けられた上部電極105を備える。また、隣り合う酸化物層104の間が、五酸化タンタルからなる絶縁分離層106により素子分離されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
金属酸化物層及びこの金属酸化物層に接続する第1電極,第2電極を少なくとも備えて基板の上に形成された複数の素子と、 隣り合う前記素子の前記金属酸化物層の間に設けられて前記金属酸化物層に接触する部分が酸化タンタルから構成された絶縁分離層と を少なくとも備え、 前記金属酸化物層は、少なくとも2つの金属を含んでいる ことを特徴とする金属酸化物素子。
IPC (4件)：
H01L 49/00 ,  H01L 27/10 ,  C23C 14/08 ,  H01L 45/00
FI (4件)：
H01L49/00 Z ,  H01L27/10 451 ,  C23C14/08 K ,  H01L45/00 Z
Fターム (24件)：
4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA46 ,  4K029BA50 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC27 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA21 ,  5F083JA31 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA42 ,  5F083JA44 ,  5F083NA08 ,  5F083PR22
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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