半導体装置の作製方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255496
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114173
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：

【要約】【課題】電気特性の優れたTFTを作製し、そのTFTで回路を組むことによって高性能な半導体装置を実現する。【解決手段】ゲルマニウムを添加した半導体膜に対して熱アニールを行い結晶を含む半導体膜を形成する工程と、結晶を含む半導体膜に対して酸化処理を行う工程と、酸化処理を行った半導体膜に対してレーザーアニール処理を行う工程と、レーザーアニール後の半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う工程とを有する。レーザーアニール処理は250〜5000mJ/cm2のエネルギー密度で行われる。

請求項（抜粋）：

非晶質を含む半導体膜に対してゲルマニウムを添加する第1工程と、前記第1工程の後、前記非晶質を含む半導体膜を、結晶を含む半導体膜に変化させる第2工程と、前記結晶を含む半導体膜を酸化して膜厚を減じる第3工程と、前記第3工程後の結晶を含む半導体膜に対して250〜5000mJ/cm2のエネルギー密度のレーザーアニール処理を行う第4工程と、前記第4工程後の結晶を含む半導体膜に対してファーネスアニール処理を行う第5工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 618 Z , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 E

Fターム (9件)：

5F052AA02 , 5F052AA24 , 5F052BA07 , 5F052BB07 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052HA06 , 5F052JA10

引用特許：

審査官引用 (5件)

半導体装置及びその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-335152 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-326068 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-166115 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

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