特許
J-GLOBAL ID：200903028876015126

半導体装置の配線構造とその形成方法

発明者：
田中 啓貴

田中 啓貴 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-282334
公開番号（公開出願番号）：特開2000-114271
出願日： 1998年10月05日
公開日（公表日）： 2000年04月21日
要約：
【要約】【課題】 複数のHBTを並列にエアブリッジ配線によって接続する。【解決手段】 各HBT25,26は、基板21上にコレクタ層24,ベース層23およびエミッタ層22をこの順に積層し、素子間分離溝30で空間的・電気的に分離してピラミッド状に形成する。エミッタ電極27はエミッタ層22上に、ベース電極28はエミッタ層22の周囲のベース層23上に、コレクタ電極29はベース層23の周囲のコレクタ層24上に夫々形成する。その結果、各HBT25,26の同一種の電極同士は互いに同一レベルに在り、異種の電極とは異なるレベルに在る。したがって、同種の電極同士を平面状のエアブリッジ配線33,32,31によって接続することによって、各電極は各エアブリッジ配線によって互いにクロスすることなく接続され、最下層のコレクタエアブリッジ配線33とコレクタ層24との間に空間が形成された配線構造が容易に得られる。
請求項（抜粋）：
半絶縁性基板上に複数形成された半導体素子を並列接続する半導体装置の配線構造であって、上記各半導体素子間の領域には上記半絶縁性基板に達する素子間分離溝が形成されて、各半導体素子は空間的に且つ電気的に分離されており、隣接する上記半導体素子における互いに接続されるべき電極は、互いに対向する位置に形成されており、上記隣接する半導体素子における互いに接続されるべき電極同士は、上記素子間分離溝を跨いで配設されたエアブリッジ配線によって、他のエアブリッジ配線と互いに交差することなく接続されていることを特長とする半導体装置の配線構造。
IPC (3件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 21/768
FI (2件)：
H01L 29/72 ,  H01L 21/90 N
Fターム (24件)：
5F003BA27 ,  5F003BA92 ,  5F003BB90 ,  5F003BC90 ,  5F003BE90 ,  5F003BF01 ,  5F003BF06 ,  5F003BF90 ,  5F003BG01 ,  5F003BG10 ,  5F003BH08 ,  5F003BH99 ,  5F003BM03 ,  5F003BP12 ,  5F003BP32 ,  5F033AA11 ,  5F033AA15 ,  5F033AA73 ,  5F033BA41 ,  5F033CA01 ,  5F033EA29 ,  5F033EA36 ,  5F033FA02 ,  5F033FA03
引用特許：
審査官引用 (6件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM