特許
J-GLOBAL ID：200903028910311961

半導体記憶装置

発明者：
柳井 剛

柳井 剛 について

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梶井 芳雄

梶井 芳雄 について

, 
大川 隆

大川 隆 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-305888
公開番号（公開出願番号）：特開2000-133724
出願日： 1998年10月27日
公開日（公表日）： 2000年05月12日
要約：
【要約】【課題】 本発明は半導体記憶装置に関し、メモリセルが占有する面積を減少し、且つ、製造プロセスのばらつきの影響を最小限に抑さえて安定した半導体記憶装置の動作を保証することを目的とする。【解決手段】 複数のトランジスタから構成されるメモリセルを備え、メモリセルを構成する全てのトランジスタのゲート配線層が、夫々同一方向に延在する配置となるように構成する。
請求項（抜粋）：
複数のトランジスタから構成されるメモリセルを備え、該メモリセルを構成する全てのトランジスタのゲート配線層は、夫々同一方向に延在するように配置されている、半導体記憶装置。
IPC (2件)：
H01L 21/8244 ,  H01L 27/11
Fターム (8件)：
5F083BS27 ,  5F083BS47 ,  5F083BS48 ,  5F083GA11 ,  5F083LA01 ,  5F083LA16 ,  5F083LA17 ,  5F083LA21
引用特許：
審査官引用 (26件)
  • 半導体記憶装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-272684   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平2-209771
  • 特開平2-209771
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