特許
J-GLOBAL ID：200903028993218674
1つまたは多くの被膜を基板に沈積する方法および装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小島 高城郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-555911
公開番号（公開出願番号）：特表2003-525349
出願日： 2001年02月02日
公開日（公表日）： 2003年08月26日
要約：
【要約】【課題】 ガスの配分および/または作製される被膜の成分の供給されるガスの温度の不均等性による欠陥を防止する【解決手段】 本発明は、使用される用のガス導入装置(8)によって被膜が基板上に凝縮しまたはエピタキシー成長する反応室に供給される反応ガス用の液体または固体の初期物質を使用して、反応室(1)に配置された少なくとも1つの基板(2)に、1つまたは多くの被膜を沈積させる装置および方法に関するものである。ガス導入装置は多くの緩衝体積を備え、内部に反応ガスが別々に供給され、空間的に分離されて互いに近接するで出口開口から排出される。反応ガスは途中でガス導入装置によって温度調整される。
請求項（抜粋）：
使用される少なくとも1つの反応ガス(3、4)、および必要な場合は少なくとも一つのさらに別の室温においてガス状の反応ガス(6)用の少なくとも一つの液体または固体の初期物質(3’、4’)を使用して、1つまたは多くの被膜を反応室に配置された少なくとも一つの基板に形成させるため、液体または固体の初期物質(3’、4’)が1つまたは多数の蒸発器(7)で、反応室(1)に進入する前に液体相または固体相から直接蒸気相に移行される方法において、反応ガス(1)はガス導入装置(8)に供給され、使用される反応ガス(3、4、5)の数より少ないかまたは同じ数の多数に分割されたガス通路(9、10)を通り、ガス通路には多数の出口開口(11、12)が、種々の反応ガス(3、4、5)が基板表面上に均等に平均化されるが、基板(2)の表面より前では実質的に互いに反応しないように配置され、反応ガスはそれぞれのガス通路(9、10)でガス導入装置(8)によって温度調整され、ガス導入装置(8)の支持体(14)に向いた側面は支持体により熱の授受が行なわれ、反対側は熱抵抗をガスの成分の変更によって調整できるガス掃気隙間(20)によって、熱が冷却体によって除去されるか熱源から供給される方法において、 ・ 反応室1に対して隙間(20)をガス気密または絞った分離(29)とし、隙間(20)の熱抵抗をガス圧の変化によっても調整できること、および ・ ガス導入装置に配置され、特にガス通路(9、10)によって構成されるガス導入装置(8)の両側面の間の少なくとも1つの緩衝体積によって、ガス(3、4、5)の圧力および/または成分の変更により緩衝体積(9、10)の熱抵抗を可変調整することを特徴とする方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
C23C 16/455
, B01J 19/00 L
4G075AA24
, 4G075AA63
, 4G075BC04
, 4G075BD14
, 4G075CA02
, 4G075CA03
, 4G075DA02
, 4G075EA05
, 4G075EB01
, 4G075EC02
, 4G075EE02
, 4G075FB02
, 4G075FB04
, 4G075FB06
, 4K030AA11
, 4K030BA04
, 4K030BA17
, 4K030BA42
, 4K030BA46
, 4K030EA01
, 4K030EA05
, 4K030JA09
, 4K030KA23
, 4K030KA25
, 4K030KA26
