特許
J-GLOBAL ID：200903029118671086

薄膜素子の端子電極及びその製造方法と薄膜磁気ヘッド

発明者：
菊入 勝也

菊入 勝也 について

, 
高畠 宇士

高畠 宇士 について


出願人/特許権者：
アルプス電気株式会社

アルプス電気株式会社 について


代理人 (1件)： 志賀 正武 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-309163
公開番号（公開出願番号）：特開2003-123208
出願日： 2001年10月04日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：
【要約】【課題】 本発明は、端子電極まわりの絶縁層にボイド等の欠陥をなくし、高密度なものとして端子電極の取付強度を向上させることができる端子電極の提供を目的の1つとする。【解決手段】 本発明は、薄膜技術により形成される薄膜素子のリード部接合部分に設けられる端子電極であり、該端子電極3が上部パッド3Bと下部パッド3Aからなり、前記下部パッド3Aが、前記リード部接合部分から突出形成された支柱状とされ、該下部パッド3A上に該下部パッド3Aよりも幅広で、かつ、中央部を前記下部パッド3Aの中央部と位置合わせした上部パッド3Bが形成されてなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
薄膜技術により形成される薄膜素子のリード部接合部分に設けられる端子電極であり、該端子電極が上部パッドと下部パッドからなり、前記下部パッドが、前記リード部接合部分から突出形成された支柱状とされ、該下部パッド上に該下部パッドよりも幅広で、かつ、少なくとも一方向から見たときの中央部を前記下部パッドの中央部と位置合わせした上部パッドが形成されてなることを特徴とする薄膜素子の端子電極。
IPC (2件)：
G11B 5/31 ,  G11B 5/60
FI (2件)：
G11B 5/31 F ,  G11B 5/60 P
Fターム (6件)：
5D033BA39 ,  5D033BA41 ,  5D033DA07 ,  5D033DA31 ,  5D042PA08 ,  5D042TA06
引用特許：
審査官引用 (4件)
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