III-V族窒化物半導体を用いた半導体装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (10件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-113985
公開番号（公開出願番号）：特開2005-302861
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2005年10月27日
要約：

【課題】障壁層に電子が蓄積され不要な電子の伝導パスが形成されることを防止し、性能劣化が生じない半導体装置を実現できるようにする。【解決手段】サファイア基板11の上に形成されたGaNからなる動作層12の上に、AlGaNからなる障壁層13が積層され、障壁層13にはヘテロ接合界面19に電子を供給するn型のδ-ドープ層17が動作層12と障壁層13とのヘテロ接合界面19から2nmの位置に形成されている。n型不純物のドープ層をδ-ドープ層にすると共に、ヘテロ接合界面19の近傍に設けることにより、障壁層13の中心付近において伝導帯底のエネルギーレベルが低下することを防止できる。これにより、障壁層13に不要な電子の伝導パスは形成されず、性能劣化の生じない半導体装置が実現できる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板の上に形成された第1のIII-V族窒化物半導体層と、前記第1のIII-V族窒化物半導体層の上に形成され、前記第1のIII-V族窒化物半導体層と比べてバンドギャップが大きい第2のIII-V族窒化物半導体層とを備え、前記第2のIII-V族窒化物半導体層は、前記第1のIII-V族窒化物半導体層における該第1のIII-V族窒化物半導体層との間で形成されるへテロ接合界面の下側の領域に電子を供給するn型不純物層を有していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (12件)：

5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GL04 , 5F102GL20 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102HC01 , 5F102HC04

引用特許：

出願人引用 (2件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-196751 出願人：日本電気株式会社
米国特許第6316793号明細書

審査官引用 (7件)

ダブルリセストランジスタ
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-516254 出願人：レイセオン・カンパニー
特開昭61-158183
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-267146 出願人：三洋電機株式会社

全件表示

前のページに戻る