特許
J-GLOBAL ID：200903005592523792
ダブルリセストランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
社本 一夫 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-516254
公開番号（公開出願番号）：特表2003-531470
出願日： 2000年08月07日
公開日（公表日）： 2003年10月21日
要約：
【要約】トランジスタ構造体(10)を提供する。この構造体(10)は、ソース電極(12)とドレイン電極(14)とを備える。上記ソース電極(12)と上記ドレイン電極(14)の下にGaxIn1-xAsのドープキャップ層(16)を配置し、キャップ層開口部(38)を提供する。GaxIn1-xAsの非ドープ抵抗層(18)を上記キャップ層(16)の下に配置し、第一の幅(W1)をもち上記キャップ層開口部(38)と位置の合った抵抗層開口部(38)を画定する。AlyIn1-yAsのショットキー層(20)を上記抵抗層(18)の下に配置する。非ドープチャネル層(28)を上記ショットキー層(20)の下に配置する。半-絶縁基板(36)を上記チャネル層(28)の下に配置する。上記抵抗層開口部(38)直下の上記ショットキー層の上部表面(42)により、第一の幅(W1)よりも小さな第二の幅(W2)をもつリセス(44)ができる。ゲート電極(22)は、上記ショットキー層(20)によってできた上記リセス(W2)の底部表面(48)と接触する。
請求項（抜粋）：
エッチング剤により第一のエッチング速度でエッチングするように適合させたショットキー層;及び前記ショットキー層の上に配置され、且つ前記第一のエッチング速度よりも実質的に早い第二のエッチング速度で前記エッチング剤によりエッチングするように適合させた接触層を含む半導体構造体であって、前記接触層は前記接触層を経て開口部を提供して前記ショットキー層の上部表面の領域を露出させ、前記領域は第一の幅をもち;前記ショットキー層の上部表面の前記領域は前記第一の幅よりも小さい第二の幅のリセスを提供する、前記半導体構造体。
IPC (4件)：
H01L 21/338
, H01L 21/306
, H01L 29/778
, H01L 29/812
H01L 29/80 H
, H01L 21/306 B
5F043AA16
, 5F043AA20
, 5F043BB07
, 5F043BB10
, 5F043FF10
, 5F102FA01
, 5F102GB01
, 5F102GC01
, 5F102GD01
, 5F102GJ06
, 5F102GK04
, 5F102GK08
, 5F102GL04
, 5F102GM04
, 5F102GM07
, 5F102GN04
, 5F102GQ01
, 5F102GR04
, 5F102GT02
, 5F102HC01
, 5F102HC15
, 5F102HC21
