特許
J-GLOBAL ID：200903029284030528
半導体メモリ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊丹 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-370504
公開番号（公開出願番号）：特開2003-173691
出願日： 2001年12月04日
公開日（公表日）： 2003年06月20日
要約：
【要約】【課題】 低電源電圧化を容易にしたセンスアンプ回路方式を用いた半導体メモリ装置を提供する。【解決手段】 センスアンプ31のセンス線SNは選択ビット線BLに接続される。参照センス線RSNには、基準電圧発生回路32により参照電圧が与えられる。参照電圧発生回路32は、データ判定の基準となる参照電流を流す参照セルRMCとこれに電流を供給する電流源負荷QP4を含む参照セルユニット34と、参照電流を反映した電流を流すための参照トランジスタQN10とこれに電流を供給する電流源負荷QP3を含む参照トランジスタユニット35と、非反転入力端子がノードN1に、反転入力端子がノードN2に接続され、出力端子が参照トランジスタQN10のゲートに接続されて、参照トランジスタQN10を負帰還制御する制御アンプOP2と、参照トランジスタQN10とゲートが共通接続され、ドレインが参照センス線RSNに接続される電流源トランジスタQN11と、参照センス線RSNに接続された電流源負荷QP2とを備えて構成される。
請求項（抜粋）：
電流の有無または大小によりデータを記憶するメモリセルが配列されたメモリセルアレイと、このメモリセルアレイの選択されたメモリセルのデータに応じてセンス線に得られる電圧を参照センス線に与えられる参照電圧と比較してデータ判定するセンスアンプと、前記参照センス線に参照電圧を与えるための参照電圧発生回路とを備え、前記参照電圧発生回路は、前記メモリセルのデータ判定の基準となる参照電流を流す参照セルとこれに電流を供給する第1の電流源負荷を含む参照セルユニットと、前記参照電流を反映した電流を流すための参照トランジスタとこれに電流を供給する第2の電流源負荷を含む参照トランジスタユニットと、第1の入力端子が前記参照セルと第1の電流源負荷の間の第1の接続ノードに接続され、第2の入力端子が前記参照トランジスタと第2の電流源負荷の間の第2の接続ノードに接続され、出力端子が前記参照トランジスタのゲートに接続されて、前記参照トランジスタを負帰還制御する制御アンプと、前記参照トランジスタとゲートが共通接続され、ドレインが前記センスアンプ回路の参照センス線に接続される電流源トランジスタと、前記参照センス線に接続された第3の電流源負荷と、を備えたことを特徴とする半導体メモリ装置。
Fターム (4件)：
5B025AD05
, 5B025AD06
, 5B025AD10
, 5B025AE07
