特許
J-GLOBAL ID：200903029289368217

半導体発光素子

発明者：
細羽 弘之

細羽 弘之 について

, 
倉橋 孝尚

倉橋 孝尚 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273238
公開番号（公開出願番号）：特開2000-101132
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：
【要約】【課題】 結晶欠陥の発生を抑え、電極形成面の凹凸を減らして平坦化し、半導体発光素子作成プロセスにおいて電極の剥がれが生じにくい半導体発光素子用ウェハーを提供すること。【解決手段】 半導体基板1と、少なくともIII-V族化合物半導体結晶よりなる第1クラッド層2、発光層3、前記第1クラッド層と反対導電型の第2クラッド層4、及び窓層5、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極7、および該窓層には上部電極6が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第1窓層11と発光層より遠い第2窓層12とを有し、該第2窓層は該第1窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第1窓層と第2窓層の界面近傍において、III族元素の組成比を変化させた第1の介在層を有することを特徴とするものである。この結果、ヒロックの少ないウェハーを得ることができる。
請求項（抜粋）：
基板と、少なくともIII-V族化合物半導体結晶よりなる第1クラッド層、発光層、前記第1クラッド層と反対導電型の第2クラッド層、及び窓層、がこの順序で積層されており、該基板には下部電極、および該窓層には上部電極が形成され、該窓層は少なくとも発光層に近い第1窓層と発光層より遠い第2窓層とを有し、該第2窓層は該第1窓層より不純物濃度の高い半導体層であって、前記第1窓層と第2窓層の界面近傍において、III族元素の組成比を変化させた第1の介在層を有することを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (9件)：
5F041AA41 ,  5F041CA04 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA35 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA58 ,  5F041CA65
引用特許：
審査官引用 (6件)
  • 半導体発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-059220   出願人：ローム株式会社
  • 発光素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-009638   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平4-246869
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM