特許
J-GLOBAL ID：200903029297168278

ナノ構造体及びその製造方法

発明者：
市原 滋

市原 滋 について

, 
小中原 馨

小中原 馨 について

, 
田 透

田 透 について

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福谷 和彦

福谷 和彦 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (2件)： 山下 穣平 ,  志村 博
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-290536
公開番号（公開出願番号）：特開2005-059125
出願日： 2003年08月08日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：
【課題】ナノ細線の直径が微細且つ高密度に集積されたナノ細線であり、一層の高機能性デバイスに応用可能なナノ細線を具備するナノ構造体を提供する。【解決手段】ナノ構造体1は、基板10、下地層11上に形成され、Si、Ge、及びSiGeのいずれかがAlと成す全量に対し20atomic%以上70atomic%以下の割合で含有されたAl細線を有するAl(Si、Ge)を主成分とする膜中からAl細線を取り除くことにより細孔径及び細孔密度の揃った細孔を有するマトリックス部14と、マトリックス部14の細孔中に充填して形成されたAl以外の材料からなり、直径が微細且つ高密度に集積されたナノ細線13とを有する。ナノ細線13は、マトリクス部14の一部を選択的に除去することにより、マトリックス部14から凸状に露出している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板又は下地層を有する基板上に形成さいれたナノ構造体であって、 柱状の第1の部材と前記第1の部材を取り囲むように形成した第2の部材を備え、 前記第2の部材が共晶を形成し得る2種類以上の材料を含有し、且つ前記材料の1種類が半導体材料であり、前記第1の部材の基板からの高さが、第2の部材の基板からの高さよりも高いことを特徴とする請求項1記載の構造体。
IPC (6件)：
B82B1/00 ,  B01J23/42 ,  B82B3/00 ,  C23C18/31 ,  C25D1/04 ,  H01L29/06
FI (6件)：
B82B1/00 ,  B01J23/42 M ,  B82B3/00 ,  C23C18/31 Z ,  C25D1/04 ,  H01L29/06 601N
Fターム (15件)：
4G069AA02 ,  4G069AA03 ,  4G069AA08 ,  4G069AA12 ,  4G069BC75B ,  4G069CB81 ,  4G069CC26 ,  4G069EA03Y ,  4G069FB02 ,  4G069FB21 ,  4G069FB48 ,  4K022AA05 ,  4K022BA18 ,  4K022DA01 ,  4K022EA04
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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