特許
J-GLOBAL ID：200903029303871709

ヘテロ接合型半導体装置

発明者：
櫛田 知義

櫛田 知義 について


出願人/特許権者：
トヨタ自動車株式会社

トヨタ自動車株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-170060
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357801
出願日： 1999年06月16日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置の低ON電圧及び高耐圧を図る。【解決手段】 n+カソード領域10上に順次n-カソード領域12、p-アノード領域14、p+アノード領域16を形成する。p+アノード領域16をGe等で、p-アノード領域14及びカソード領域をSi等で形成する。p+アノード領域16とp-アノード領域14との界面でヘテロ接合を形成し、p-アノード領域14とn-カソード領域12との界面でpn接合を形成する。ヘテロ接合部とpn接合部を分離することで、ヘテロ接合界面の準位密度ばらつきが特性に与える影響を少なくし、またpn接合をバンドギャップの大きいSi内に形成することで高耐圧を得る。
請求項（抜粋）：
バンドギャップの異なる複数の半導体材料を接合してなるヘテロ接合型半導体装置であって、第1半導体層及び第2半導体層によってヘテロ接合を形成するとともに、第2半導体層及び第3半導体層によってpn接合を形成し、pn接合部の格子定数差がヘテロ接合部の格子定数差よりも小さく、かつ、前記第2半導体層及び第3半導体層を構成する半導体材料各々のバンドギャップが前記第1半導体層を構成する半導体材料のバンドギャップよりも大きいことを特徴とするヘテロ接合型半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/861 ,  H01L 29/78
FI (5件)：
H01L 29/91 H ,  H01L 29/78 652 T ,  H01L 29/78 653 A ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/91 D
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (8件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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