特許
J-GLOBAL ID：200903029306450674

無機酸化物膜の処理方法、電子デバイス用基板、電子デバイス用基板の製造方法、液晶パネルおよび電子機器

発明者：
寺尾 幸一

寺尾 幸一 について

, 
篠原 祐治

篠原 祐治 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について


代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-120770
公開番号（公開出願番号）：特開2006-301158
出願日： 2005年04月19日
公開日（公表日）： 2006年11月02日
要約：
【課題】アルコールを無機酸化物膜の表面のみならず、細孔の内面にも確実に化学結合させ得る無機酸化物膜の処理方法、例えば液晶分子等の配向性が経時的に低下し難い電子デバイス用基板、かかる電子デバイス用基板を製造し得る電子デバイス用基板の製造方法、信頼性の高い液晶パネルおよび電子機器を提供すること。【解決手段】本発明の電子デバイス用基板の製造方法は、基板9の一方の面側に斜方蒸着法により複数の細孔30を有する無機酸化物膜31を形成する工程と、無機酸化物膜31が形成された基板9を少なくとも第1のアルコールとこのアルコールより分子量の小さい第2のアルコールとを含有する処理液中に浸漬する工程と、処理液が設置された空間を減圧することにより前記細孔30内に処理液を浸透させる工程と、無機酸化物膜31の表面および細孔30の内面に処理液中のアルコールを化学結合させて配向膜3Aを得る工程とを有する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
斜方蒸着法により形成され、複数の細孔を有する無機酸化物膜を、少なくとも第1のアルコールと、該第1のアルコールより分子量の小さい第2のアルコールとを含有する処理液中に浸漬する工程と、 該処理液が設置された空間を減圧することにより、前記無機酸化物膜の細孔内に前記処理液を浸透させる工程と、 前記無機酸化物膜の表面および細孔の内面に、前記処理液中のアルコールを化学結合させる工程とを有することを特徴とする無機酸化物膜の処理方法。
IPC (2件)：
G02F 1/133 ,  C23C 14/24
FI (2件)：
G02F1/1337 515 ,  C23C14/24 S
Fターム (13件)：
2H090HB03Y ,  2H090HB13Y ,  2H090HC07 ,  2H090HC15 ,  2H090HD14 ,  2H090KA07 ,  2H090MA01 ,  2H090MB06 ,  4K029AA09 ,  4K029BA46 ,  4K029CA01 ,  4K029GA00 ,  4K029GA01
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
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