特許
J-GLOBAL ID:200903029309540283
ウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (2件):
小野 尚純
, 奥貫 佐知子
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-102255
公開番号(公開出願番号):特開2006-286763
出願日: 2005年03月31日
公開日(公表日): 2006年10月19日
要約:
【課題】 ウエーハの加工面に保護被膜を均一に被覆してレーザー加工を施すことができるウエーハのレーザー加工方法およびレーザー加工装置を提供する。【解決手段】 表面に複数のデバイスがマトリックス状に形成されたウエーハのデバイスを区画する格子状のストリートに沿ってレーザー加工を施すウエーハのレーザー加工方法であって、ウエーハの加工面に液状の樹脂をスプレーで吹き付けて保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、保護被膜が形成されたウエーハの加工面に保護被膜を通してストリートに沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程とを含む。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面に複数のデバイスがマトリックス状に形成されたウエーハの該デバイスを区画する格子状のストリートに沿ってレーザー加工を施すウエーハのレーザー加工方法であって、
該ウエーハの加工面に液状の樹脂をスプレーで吹き付けて保護被膜を被覆する保護被膜被覆工程と、
該保護被膜が形成されたウエーハの加工面に該保護被膜を通して該ストリートに沿ってレーザー光線を照射するレーザー光線照射工程と、を含む、
ことを特徴とするウエーハのレーザー加工方法。
IPC (4件):
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/38
, B23K 26/40
FI (5件):
H01L21/78 L
, B23K26/00 M
, B23K26/38 320
, B23K26/40
, H01L21/78 B
Fターム (11件):
4E068AE01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CA07
, 4E068CA15
, 4E068CB02
, 4E068CC02
, 4E068CE04
, 4E068CF01
, 4E068DA10
引用特許:
出願人引用 (2件)
審査官引用 (7件)
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レーザー加工装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2003-122215
出願人:株式会社ディスコ
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レーザー加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2002-361882
出願人:株式会社ディスコ
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特開昭60-108193
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レーザアブレーション加工方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-006106
出願人:富士通株式会社
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特開昭54-127580
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特開平4-363047
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塗布膜形成装置及びその方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2001-370266
出願人:東京エレクトロン株式会社
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