特許
J-GLOBAL ID：200903029342656530
半導体基材及び太陽電池の製造方法及びその製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山下 穣平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350133
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190029
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 低コストで特性の良好な薄膜結晶太陽電池や半導体基材の製造方法及びその製造装置を実現する。【解決手段】 結晶質の第1の基体201の表面に多孔質層202を形成し、この上に気相成長法で第1の結晶質の薄膜半導体層206を成長したのち、還元性の雰囲気を保ったまま引き続き液相成長法で第2の結晶質の薄膜半導体層203を成長し、この薄膜半導体層またはさらにその上に堆積した層に、低コストかつフレキシブルな樹脂フィルム等の第2の基体205を貼りつけ、第1の基体と第2の基体の間に力を加えて薄膜半導体206を剥離し、太陽電池や半導体基材を製造する方法。また、剥離後の第1の基体の表面を処理して再使用することを特徴とする。
請求項（抜粋）：
薄膜半導体層を用いた半導体基材の製造方法において、少なくとも、i)結晶質の第1の基体の表面に多孔質層を形成する工程と、ii)還元性の雰囲気の中で原料ガスを分解して前記多孔質層の表面に第1の薄膜半導体層を気相成長させる工程と、iii)前記還元性の雰囲気を保持したまま、第2の薄膜半導体を構成する元素を飽和または過飽和まで溶解した溶液に、前記第1の薄膜半導体層を浸漬して、前記第1の薄膜半導体層表面に、これとは異なる導電型の第2の薄膜半導体層を液相成長させる工程と、iv)前記第2の薄膜半導体層または第2の薄膜半導体層の上にさらに形成された層の表面に、第2の基体を貼り合わせる工程と、v)前記多孔質層に力を作用させて、前記第1の薄膜半導体層を前記第1の基体より剥離して前記第2の基体に転写する工程と、を有することを特徴とする半導体基材の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 31/04
, C23C 16/02
, H01L 27/12
H01L 31/04 A
, C23C 16/02
, H01L 27/12 B
