特許
J-GLOBAL ID：200903029343103984

表示装置の製造方法および表示装置

発明者：
荒井 俊明

荒井 俊明 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (3件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-150567
公開番号（公開出願番号）：特開2009-295538
出願日： 2008年06月09日
公開日（公表日）： 2009年12月17日
要約：
【課題】第1電極を金属と酸化物導電体との積層構造とした場合に、酸化物導電体のスパッタリングターゲットに起因するパーティクルを低減し、金属と酸化物導電体との間で良好な通電特性を得ることができる表示装置の製造方法および表示装置を提供する。【解決手段】金属よりなる第1層13Aと、酸化物が導電性を示す金属よりなる第2層13Bとを順に含む積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより第2層13Bの厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜13B1を形成する。金属ターゲットを用いて第2層13Bを成膜しパーティクルを低減する。表面酸化処理の際に、第2層13Bの一部を絶縁膜14で覆うことで、絶縁膜14下に酸化されない金属膜13B2を残す。第1層13Aの表層に酸化膜が形成されてしまった場合にも、第1層13Aから酸化物導電体膜13B1までを、金属膜13B2を介して低いコンタクト抵抗で接続する。【選択図】図4
請求項（抜粋）：
第1電極と第2電極との間に表示層を有する表示装置の製造方法であって、 前記第1電極を形成する工程は、 基板に、金属よりなる第1層と、酸化物が導電性を示す金属よりなる第2層とを順に含む積層構造を形成する工程と、 前記積層構造を形成したのち、表面酸化処理を行うことにより前記第2層の厚み方向の少なくとも一部に酸化物導電体膜を形成する工程と を含む表示装置の製造方法。
IPC (3件)：
H05B 33/10 ,  H05B 33/24 ,  H05B 33/26
FI (3件)：
H05B33/10 ,  H05B33/24 ,  H05B33/26 Z
Fターム (8件)：
3K107AA01 ,  3K107BB01 ,  3K107CC29 ,  3K107DD22 ,  3K107DD23 ,  3K107DD24 ,  3K107DD44X ,  3K107DD46X
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (4件)
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