特許

J-GLOBAL ID：200903029370723803

ZnCuSe薄膜付き基板およびその製造方法

発明者： 折田 政寛 ,  成島 隆 ,  柳田 裕昭
出願人/特許権者： HOYA株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-100997
公開番号（公開出願番号）：特開2008-255444
出願日： 2007年04月06日
公開日（公表日）： 2008年10月23日
要約：

【課題】基板、特に、有機ポリマー製基板に(Zn1-xCux)Se薄膜を有する薄膜付き基板を提供する。【解決手段】基板およびこの基板の表面の少なくとも一部に設けられた(Zn1-xCux)Se薄膜(但し、0 請求項（抜粋）：

基板およびこの基板の表面の少なくとも一部に設けられた(Zn1-xCux)Se薄膜(但し、0 IPC (5件)：

C23C 14/06 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  C23C 14/24 ,  C01B 19/04

FI (6件)：

C23C14/06 L ,  H01L21/28 301Z ,  H01L21/285 P ,  C23C14/06 G ,  C23C14/24 C ,  C01B19/04 C

Fターム (17件)：

4K029AA11 ,  4K029AA24 ,  4K029BA41 ,  4K029BC07 ,  4K029BC09 ,  4K029BD00 ,  4K029CA01 ,  4K029DB05 ,  4K029DB14 ,  4K029EA03 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  4M104BB36 ,  4M104CC01 ,  4M104DD34 ,  4M104DD81 ,  4M104GG05

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 特開昭59-145783
  
• 太陽電池の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-073136   出願人：松下電器産業株式会社
• 透明導電膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-310452   出願人：凸版印刷株式会社
• p型化合物半導体の低抵抗化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-074645   出願人：新日本製鐵株式会社
• 透明導電性薄膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-044442   出願人：工業技術院長
• 正孔注入電極及び半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-105125   出願人：HOYA株式会社