特許
J-GLOBAL ID：200903029438774282
薄膜太陽電池の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045730
公開番号（公開出願番号）：特開平7-254723
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1995年10月03日
要約：
【要約】【目的】6B族単体または化合物のガスを用いることなく、1B族、3B族、及び6B族の元素を含む膜を熱処理して薄膜太陽電池を製造する。【構成】ガラス基板1の上にスパッタ法でMo膜2を形成する。この上に蒸着、スパッタ、めっきなどの方法によりCu膜3、In膜4を順次形成する。In膜4の上からSe粉末を振りかけてSe粉末層7を形成する。真空中またはArなどの不活性ガス中で200〜250°Cに上げて約30〜60分保持し、次に400〜450°Cに上げて約2〜4時間保持して合金化処理を行い、CuInSe2三元合金膜8を形成する。この上にCdS膜9、透明電極膜10を形成する。
請求項（抜粋）：
表面に導電膜を有する基板の前記導電膜の上に周期律表の1B族、3B族、及び6B族の元素を含む層を形成する工程と、前記層を熱処理して1B族-3B族-6B族の合金膜に転換する工程とを有する薄膜太陽電池の製造方法において、前記1B族、3B族、及び6B族の元素を含む層の形成が前記1B族と3B族の元素を含む層の上に前記6B族の元素の粉末層を堆積して行われ、前記熱処理が前記6B族の単体または化合物のガスを含まない雰囲気中で行われることを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 31/04
, C23C 14/06
, G02F 1/1343
, H01L 21/203
, H01L 21/324
