特許

J-GLOBAL ID：200903029439940305

3族窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 小池 正好 ,  浅見 慎也 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社 ,  赤崎 勇 ,  天野 浩
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-210076
公開番号（公開出願番号）：特開平9-036424
出願日： 1995年07月25日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】発光波長400nm より長い波長の光のスペクトルのピーク波長の半値幅を狭くして、色純度を向上させること。【構成】サファイア基板1上に500 ÅのAlN のバッファ層2が形成され、その上に順に、膜厚約2.0 μm、電子濃度2 ×1018/cm3のシリコンドープGaN の高キャリア濃度n+ 層3、膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のシリコンドープのAlx2Ga1-x2Nの高キャリア濃度n+ 層4、膜厚約0.5 μm、アンドープのGa1-x1Inx1N のn層(発光層)5、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のマグネシウムドープの Alx2Ga1-x2N のp層61、p型のコンタクト層62と高キャリア濃度n+ 層4とに、それぞれ、接続するニッケルで形成された電極7と電極8とが形成されている。発光層5は、高温,短時間の熱処理が加えられている。

請求項（抜粋）：

発光層に3族窒化物半導体を用いた発光素子において、前記発光層は、不純物の添加されていない少なくともインジウムと窒素を含む3族窒化物半導体から成り、前記発光層の変成に必要な熱を短時間加える熱処理が施されたものであることを特徴とする3族窒化物半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (6件)

• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013393   出願人：シャープ株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-203084   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平4-242985
  
• 特開平4-124816
  
• 半導体薄膜の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-159011   出願人：光技術研究開発株式会社
• p型窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-357046   出願人：日亜化学工業株式会社