特許
J-GLOBAL ID：200903052021152205
半導体発光素子の製造方法、半導体発光素子および表示装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-074720
公開番号（公開出願番号）：特開平11-274506
出願日： 1998年03月23日
公開日（公表日）： 1999年10月08日
要約：
【要約】【課題】 新しい多孔質シリコンを用いた半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 シリコン化合物(101)が溶媒に溶解された流動体(100)を基板に塗布し、流動体(100)にエネルギーを加えてシリコン化合物における結合を変化させアモルファスシリコンの粒塊(101)にし、アモルファスシリコンの粒塊(101)に一定時間エネルギーを加えて結晶化させ、多孔質シリコンの発光層(103)を形成する。
請求項（抜粋）：
多孔質シリコンで構成された発光層を備える半導体発光素子の製造方法であって、シリコン化合物が溶媒に溶解された流動体を基板に塗布する工程と、塗布された前記流動体にエネルギーを加えて前記シリコン化合物における結合を変化させアモルファスシリコンの粒塊を生成する工程と、前記アモルファスシリコンの粒塊に一定時間エネルギーを加えて結晶化させ、多孔質シリコンの前記発光層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 29/786
, B41J 2/44
, B41J 2/45
, B41J 2/455
, H01L 21/20
, H01L 27/15
, H01L 33/00
, H05B 33/10
, H05B 33/14
H01L 29/78 622
, H01L 21/20
, H01L 27/15 B
, H01L 33/00 A
, H05B 33/10
, H05B 33/14 Z
, B41J 3/21 L
