特許
J-GLOBAL ID：200903029472668513

不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法

発明者：
田中 良幸

田中 良幸 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-014063
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215700
出願日： 1999年01月22日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
要約：
【要約】【課題】 メモリセルの構造の最適化や製造方法の工夫を必要とせず、電気的な回路手段により、FGに対するストレスによって生じる、希望しないメモリセルのVtの変化量を的確に把握し、記憶情報が失われることを未然に防止することのできる不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 電気的に書き込み又は消去が可能な不揮発性半導体記憶装置において、書き換え可能な不揮発性メモリセルアレイと、不揮発性メモリセルアレイから少なくとも1つメモリセルを選択した状態にし、他のメモリセルを選択することができない状態にするデコード回路と、デコード回路を介して選択した状態のメモリセルから複数の判定レベルで読み出しを行なう読み出し手段を有する。
請求項（抜粋）：
電気的に書き込み又は消去が可能な不揮発性半導体記憶装置において、書き換え可能な不揮発性メモリセルアレイと、前記不揮発性メモリセルアレイから少なくとも1つメモリセルを選択した状態にし、他のメモリセルを選択することができない状態にするデコード回路と、前記デコード回路を介して前記選択した状態のメモリセルから複数の判定レベルで読み出しを行なう読み出し手段を有することを特徴とした不揮発性半導体記憶装置。
IPC (4件)：
G11C 29/00 673 ,  G11C 29/00 ,  G01R 31/28 ,  G11C 16/02
FI (5件)：
G11C 29/00 673 V ,  G11C 29/00 673 F ,  G01R 31/28 B ,  G01R 31/28 V ,  G11C 17/00 614
Fターム (16件)：
2G032AA08 ,  2G032AB02 ,  2G032AC07 ,  2G032AE08 ,  2G032AE11 ,  2G032AH04 ,  5B025AA01 ,  5B025AB02 ,  5B025AE04 ,  5L106AA10 ,  5L106DD31 ,  5L106DD35 ,  9A001BB03 ,  9A001JJ45 ,  9A001KK54 ,  9A001LL02
引用特許：
審査官引用 (8件)
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