特許
J-GLOBAL ID：200903029472791170

半導体シリコンウェーハ中のCu汚染評価方法

発明者：
吉田 知佐

吉田 知佐 について


出願人/特許権者：
信越半導体株式会社

信越半導体株式会社 について


代理人 (1件)： 石原 詔二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-232596
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045928
出願日： 2001年07月31日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】強励起顕微フォトルミネッセンス法を用いてシリコンウェーハ中のCu汚染を高感度かつ非破壊で評価する方法を提供する。【解決手段】強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のCu汚染を評価するようにした。
請求項（抜粋）：
強励起顕微フォトルミネッセンス法を用い、評価対象の半導体シリコンウェーハと参照半導体シリコンウェーハの汚染のない部分とから発光されるフォトルミネッセンス光の光強度を測定して比較することにより当該半導体シリコンウェーハ中のCu汚染を評価することを特徴とする半導体シリコンウェーハ中のCu汚染評価方法。
IPC (2件)：
H01L 21/66 ,  G01N 21/64
FI (2件)：
H01L 21/66 N ,  G01N 21/64 E
Fターム (17件)：
2G043AA03 ,  2G043BA01 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043FA02 ,  2G043FA07 ,  2G043GA25 ,  2G043GB18 ,  2G043JA02 ,  2G043KA01 ,  2G043LA01 ,  2G043MA01 ,  2G043NA01 ,  2G043NA11 ,  4M106AA01 ,  4M106CB01
引用特許：
審査官引用 (4件)
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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