特許
J-GLOBAL ID：200903029658897962
半導体スイッチ装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
,
,
代理人 (8件)：
三好 秀和
, 三好 保男
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 栗原 彰
, 川又 澄雄
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-189897
公開番号（公開出願番号）：特開2004-032641
出願日： 2002年06月28日
公開日（公表日）： 2004年01月29日
要約：
【課題】突入電流による回路の誤遮断を確実に防止することのできる半導体スイッチ装置を提供することが課題である。【解決手段】ランプ負荷2に流れる電流を検出するシャント抵抗Rsと、ランプ負荷2を駆動させるべくスイッチが投入された際には、FET3をオンとすると共に、シャント抵抗Rsにて検出される負荷電流Idが所定値以上である場合には、FET3をオフとすることにより、ランプ負荷2を保護する機能を備えたFET駆動回路6と、を有し、シャント抵抗Rsにて検知される電流値が所定の基準値よりも大きいときには、FET駆動回路6によりFET3をオフとする操作を、一定時間マスクすることを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
直流電源と負荷との間に介置される半導体素子を具備し、該半導体素子の導通、非導通を制御して、前記負荷の駆動、停止を切り換える半導体スイッチ装置において、
前記負荷に流れる電流値を検出する電流検知手段と、
前記負荷を駆動させるべくスイッチが投入された際には、前記半導体素子を導通状態とすると共に、前記電流検知手段にて検出される電流値が所定値以上である場合には、前記半導体素子を非導通とすることにより、前記負荷を保護する機能を備えた駆動手段と、を有し、
前記電流検知手段にて検知される電流値が所定の基準値よりも大きいときには、前記駆動手段により前記半導体素子を非導通とする操作を、一定時間マスクすることを特徴とする半導体スイッチ装置。
IPC (5件)：
H03K17/08
, G01R31/02
, H02H3/08
, H02H3/087
, H03K17/687
H03K17/08 C
, G01R31/02
, H02H3/08 T
, H02H3/087
, H03K17/687 A
2G014AA03
, 2G014AB24
, 2G014AB51
, 2G014AC18
, 5G004AA04
, 5G004AB02
, 5G004BA01
, 5G004BA03
, 5G004BA04
, 5G004BA05
, 5G004DA02
, 5G004DA04
, 5G004DC04
, 5G004DC12
, 5G004DC14
, 5G004EA01
, 5J055AX34
, 5J055AX55
, 5J055BX16
, 5J055CX07
, 5J055CX22
, 5J055DX12
, 5J055DX54
, 5J055EX07
, 5J055EY01
, 5J055EY21
, 5J055EZ09
, 5J055EZ10
, 5J055EZ57
, 5J055FX04
, 5J055FX08
, 5J055FX12
, 5J055FX32
, 5J055FX38
, 5J055GX01
, 5J055GX02
