特許

J-GLOBAL ID：200903029678183184

GaAsSb量子井戸層を含む長波長フォトニクスデバイス

発明者： イン-ラン・チャン ,  スコット・ダブリュウ・コルジン ,  ラッセル・ディー・ダピュイス ,  ミン・スー・ノー ,  ジェー・ユン・リョウ ,  マイケル・アール・ティー・タン ,  アシッシュ・タンドン
出願人/特許権者： アジレント・テクノロジーズ・インク ,  ボード・オブ・リージェンツ,ザ・ユニヴァーシティ・オヴ・テキサス・システム
代理人 (1件)： 加藤 公久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-048070
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258384
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】低い閾値電流、安定した動作波長、高い量子効率を有する長波長フォトニクスデバイスを提供する。【解決手段】y≧0であるInyGa1-yAsSbの量子井戸層材料から成る少なくとも1つの量子井戸層(116)と、各々がガリウム及び燐を含有する障壁層材料から成る対応する数の障壁層(114、118)とを含み、障壁層材料が、量子井戸層材料の伝導帯エネルギーレベルよりも高い伝導帯エネルギーレベルと、量子井戸層材料の価電子帯エネルギーレベルよりも低い価電子帯エネルギーレベルとを持つことを特徴とする活性層(106)を含む長波長フォトニクスデバイス(100)を提供する。

請求項（抜粋）：

y≧0であるInyGa1-yAsSbの量子井戸層材料から成る少なくとも1つの量子井戸層と、各々がガリウム及び燐を含有する障壁層材料から成る対応する数の障壁層とを含み、前記障壁層材料が、前記量子井戸層材料の伝導帯エネルギーレベルよりも高い伝導帯エネルギーレベルと、前記量子井戸層材料の価電子帯エネルギーレベルよりも低い価電子帯エネルギーレベルとを持つことを特徴とする活性層を含む長波長フォトニクスデバイス。

IPC (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/183

FI (3件)：

H01S 5/343 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 5/183

Fターム (28件)：

5F041AA03 ,  5F041AA14 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77 ,  5F041CB04 ,  5F041CB15 ,  5F041FF14 ,  5F073AA13 ,  5F073AA55 ,  5F073AA71 ,  5F073AA74 ,  5F073AA89 ,  5F073BA02 ,  5F073CA07 ,  5F073CA17 ,  5F073CB02 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA27 ,  5F073DA31 ,  5F073EA03 ,  5F073EA23 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体レーザ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-173368   出願人：日本電気株式会社
• 半導体レーザ構造
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-241997   出願人：キヤノン株式会社
• 量子層の構造
  公報種別：公表公報   出願番号：特願平7-524893   出願人：フラウンホッファーゲゼルシャフトツァフェルダールングデァアンゲヴァンテンフォアシュンクエー.ファオ.
• GaAs材料系のための長波長仮像InGaNPAsSbタイプIおよびタイプIIアクティブ層
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-535268   出願人：アリゾナ・ボード・オブ・リージェンツ

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Strain compensated GaAsP/GaAsSb/GaAs 1.3μm lasers grown on GaAs using MBE