磁場印加式単結晶製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：土橋博司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276608
公開番号（公開出願番号）：特開2004-115281
出願日： 2002年09月24日
公開日（公表日）： 2004年04月15日
要約：

【課題】フローティング・ゾーン法は溶融帯を原料棒と種結晶に挟んだ状態で表面張力により維持されていることから、特に強磁場の影響を受けやすいことが予想され、強磁場効果を研究するのに適していると考えられており、磁場印加式フローティング・ゾーン単結晶育成装置の開発が望まれた。【解決手段】鉛直方向に設置された透明石英管内で加熱溶融するフローティング・ゾーン方式の単結晶製造装置であって、赤外線の光源と、赤外線からなる光を指向性を持たせて平行光とする第1の光学系と、その平行光を前記透明石英管に沿う中空円筒状の光として反射させ、反射した中空円筒状の光を前記フローティング・ゾーンの周囲から照射する第2の光学系と、フローティング・ゾーンの周囲に配置した磁気印加手段を備えたことを特徴とする磁場印加式単結晶製造装置。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

鉛直方向に設置された透明石英管内で加熱溶融するフローティング・ゾーン方式の単結晶製造装置であって、赤外線の光源と、赤外線からなる光を指向性を持たせて平行光とする第1の光学系と、その平行光を前記透明石英管に沿う中空円筒状の光として反射させ、反射した中空円筒状の光を前記フローティング・ゾーンの周囲から照射する第2の光学系と、フローティング・ゾーンの周囲に配置した磁気印加手段を備えたことを特徴とする磁場印加式単結晶製造装置。

IPC (2件)：

C30B13/26 , C30B13/24

FI (2件)：

C30B13/26 , C30B13/24

Fターム (7件)：

4G077AA02 , 4G077BC00 , 4G077CE03 , 4G077CE05 , 4G077EG30 , 4G077EJ02 , 4G077NE09

引用特許：

審査官引用 (5件)

液晶プロジェクタの照明装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-290417 出願人：株式会社富士通ゼネラル
検査装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-354365 出願人：有限会社ニュークリエイション
熱処理装置の温度制御方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-249920 出願人：東京エレクトロン株式会社, 東京エレクトロン東北株式会社

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