配線基板

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-185831
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015869
出願日： 1999年06月30日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：

【要約】【課題】銅を含む低抵抗且つ良熱伝導導体からなる大孔径並びに狭間隔のサーマルビアを絶縁基板との同時焼成により形成可能な安価な配線基板を作製する。【解決手段】酸化アルミニウムを主成分としMnをMn2 O3 換算で2.0〜10.0重量%の割合で含有する相対密度95%以上のセラミックスからなる絶縁基板1と、絶縁基板1の表面に搭載される発熱性素子から発生した熱を放熱するために絶縁基板1表面から裏面に貫通するように形成された複数のサーマルビア2を具備する配線基板において、サーマルビア2を銅10〜60体積%、タングステン及び/もしくはモリブデンを40〜90体積%の割合で含有してなる良熱伝導体によって形成し、且つサーマルビアの最大径を200μm以上、隣接するサーマルビア間の間隔を50〜300μmとする。

請求項（抜粋）：

酸化アルミニウムを主成分とする相対密度95%以上のセラミックスからなる絶縁基板と、該絶縁基板の表面に搭載される発熱性素子から発生した熱を放熱するために前記絶縁基板表面から裏面に貫通するように形成された複数のサーマルビアを具備する配線基板において、前記サーマルビアを銅10〜60体積%、タングステン及び/もしくはモリブデンを40〜90体積%の割合で含有してなる良熱伝導体によって形成し、且つサーマルビアの最大径が200μm以上であるとともに、隣接するサーマルビア間の間隔が50〜300μmであることを特徴とする配線基板。

IPC (6件)：

H05K 1/02 , H01L 23/12 , H01L 23/36 , H05K 1/03 610 , H05K 1/09 , H05K 1/11

FI (6件)：

H05K 1/02 Q , H05K 1/03 610 D , H05K 1/09 B , H05K 1/11 N , H01L 23/12 J , H01L 23/36 D

Fターム (42件)：

4E351AA07 , 4E351AA08 , 4E351BB01 , 4E351BB31 , 4E351BB49 , 4E351CC12 , 4E351CC22 , 4E351CC35 , 4E351DD04 , 4E351DD17 , 4E351DD18 , 4E351EE02 , 4E351EE08 , 4E351GG04 , 4E351GG16 , 5E317AA24 , 5E317AA25 , 5E317BB04 , 5E317BB12 , 5E317BB16 , 5E317BB17 , 5E317BB19 , 5E317BB24 , 5E317CC22 , 5E317CC25 , 5E317CD32 , 5E317GG03 , 5E317GG20 , 5E338AA03 , 5E338AA18 , 5E338BB05 , 5E338BB12 , 5E338BB25 , 5E338BB75 , 5E338CC08 , 5E338EE02 , 5F036AA01 , 5F036BB01 , 5F036BB08 , 5F036BC31 , 5F036BD01 , 5F036BD13

引用特許：

審査官引用 (5件)

酸化物セラミックス材料およびこれを用いた多層配線基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-249547 出願人：松下電器産業株式会社
多層回路基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-124804 出願人：京セラ株式会社
窒化アルミニウム質配線基板及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-295233 出願人：京セラ株式会社

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