特許

J-GLOBAL ID：200903029694945558

不揮発性半導体装置の過消去抑制方法および過消去抑制装置

発明者： 定家 弘美 ,  友枝 光弘
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社 ,  三菱電機セミコンダクタソフトウエア株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-178807
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035487
出願日： 1995年07月14日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【目的】 フローティングゲートに対する電子の注入・放出動作によりデータの記憶を行う不揮発性半導体装置の過消去を抑制し、消去時間が長くなることを抑制すること。【構成】 フローティングゲート16から電子放出させる電圧を該フローティングゲートとソース18間に印加する第1の電圧印加手段50と、前記フローティングゲートに電子を注入させる電圧を該フローティングゲートと前記ソース間に印加する第2の電圧印加手段50と、前記フローティングゲートから電子を放出させる消去動作途中で前記第1と第2の電圧印加手段の切り替え手段50とを具備したこと。

請求項（抜粋）：

フローティングゲートとコントロールゲートとソースおよびドレインを有し、前記フローティングゲートに対する電子の注入・放出動作によりデータの記憶を行う不揮発性半導体装置において、前記フローティングゲートから電子を放出させる消去動作途中で電子の注入を行わせることを特徴とする不揮発性半導体装置の過消去抑制方法。

FI (2件)：

G11C 17/00 530 B ,  G11C 17/00 309 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 不揮発性記憶装置の制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-044708   出願人：日本電気株式会社
• プログラマブルリードオンリメモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-360453   出願人：ソニー株式会社
• 電気的書換え可能な不揮発性半導体記憶装置の初期化方 法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-236539   出願人：日本電気株式会社
• 一括消去型不揮発性記憶装置とその消去方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-129691   出願人：株式会社日立製作所, 日立東部セミコンダクタ株式会社, 日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社