特許
J-GLOBAL ID：200903029764940540
III族窒化物半導体製造装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-144219
公開番号（公開出願番号）：特開2008-297152
出願日： 2007年05月30日
公開日（公表日）： 2008年12月11日
要約：
【課題】圧力容器内部に反応容器を有する二重容器を用いた、Naフラックス法によるIII 族窒化物半導体製造装置において、Naが酸化しないように圧力容器内に反応容器を設置できるIII 族窒化物半導体製造装置を提供する。【解決手段】III 族窒化物半導体製造装置1は、圧力容器101と、圧力容器101の内部に設置された反応容器102と、圧力容器101の内部に設置され、反応容器102を加熱する加熱装置104a、bと、内部がアルゴンガスによって満たされたグローブボックスとで構成されている。圧力容器101とグローブボックスは、ゲートバルブ105を介して接続されている。これにより、大型で再利用可能な反応容器を、Naを酸化させることなく圧力容器内に設置できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
III 族金属とそのIII 族金属とは異なる金属であるフラックスとを融解した状態で保持する反応容器と、前記反応容器を加熱する加熱装置と、前記反応容器と前記加熱装置とを内部に有する圧力容器と、で構成されたIII 族窒化物半導体製造装置において、
前記フラックスと反応しない気体によって内部が保持されているグローブボックスを有し、
前記圧力容器と前記グローブボックスとが連結されていることを特徴とするIII 族窒化物半導体製造装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
4G077AA02
, 4G077BE15
, 4G077CC04
, 4G077EG25
, 4G077EG26
