特許
J-GLOBAL ID：200903029781231421

気化供給装置及び半導体製造装置の洗浄方法

発明者：
高松 勇吉

高松 勇吉 について

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米山 岳夫

米山 岳夫 について

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石濱 義康

石濱 義康 について

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淺野 彰良

淺野 彰良 について


出願人/特許権者：
日本パイオニクス株式会社

日本パイオニクス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-152364
公開番号（公開出願番号）：特開2000-345346
出願日： 1999年05月31日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
要約：
【要約】【課題】 ヘキサフルオロアセチルアセトン銅錯体を液体原料として用いたCVDによる銅の成膜プロセスの終了時において、気化供給装置、半導体製造装置に残留した原料及び反応残留物を、高価な洗浄液を使用することなく、短時間で容易に除去することが可能な気化供給装置及び半導体製造装置の洗浄方法を提供する。【解決手段】 ケトン類を気化供給装置に供給し、気化供給装置に残留する原料を、ケトン類で洗浄して気化供給装置から排出し、さらに気化供給装置を減圧することにより洗浄残留物を除去する。また、ケトン類を霧化または気化して半導体製造装置に供給し、半導体製造装置に残留する原料及び反応残留物を、ケトン類で洗浄して半導体製造装置から排出し、さらに半導体製造装置を、乾燥ガスの供給、減圧、及び加熱から選ばれる少なくとも一手段により洗浄残留物を除去する。
請求項（抜粋）：
ヘキサフルオロアセチルアセトン銅錯体を、気化供給装置から半導体製造装置に気化供給した後、ケトン類を該気化供給装置に導入し、該気化供給装置に残留するヘキサフルオロアセチルアセトン銅錯体を、該ケトン類で洗浄して該気化供給装置から排出し、さらに気化供給装置を減圧することにより洗浄残留物を除去することを特徴とする気化供給装置の洗浄方法。
IPC (2件)：
C23C 16/44 ,  H01L 21/285
FI (2件)：
C23C 16/44 J ,  H01L 21/285 C
Fターム (9件)：
4K030AA11 ,  4K030BA01 ,  4K030DA03 ,  4K030DA06 ,  4K030EA12 ,  4K030JA06 ,  4M104BB04 ,  4M104DD44 ,  4M104DD45
引用特許：
審査官引用 (4件)
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