半導体液相エピタキシャル成長方法及びその装置並びにウェーハホルダ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-122589
公開番号（公開出願番号）：特開平10-053488
出願日： 1997年05月13日
公開日（公表日）： 1998年02月24日
要約：

【要約】【課題】従来の方法及び装置、ホルダを用いた場合は、多結晶の析出、膜厚の不均一、基板の熱劣化等、種々の問題が発生していた。【解決手段】 1対のウェーハ15の裏面を側壁に接触させ表面が所定間隔を空けて対向するように保持するウェーハ収納部を有し、この収納部にソースを注入する注入口16と、ソースを排出する排出口13とが設けられたホルダ本体11と、ホルダ本体11の開口面を覆うホルダカバー12とを備える。

請求項（抜粋）：

少なくとも1組の半導体ウェーハの裏面を内部側壁に接触させ表面が所定間隔を空けて対向するように保持するウェーハ収納空間を有し、前記ウェーハ収納空間にソースを注排入する注排口、又は前記ウェーハ収納空間内にソースを注入する注入口及び前記ウェーハ収納空間内からソースを排出する排出口が設けられたホルダ本体と、前記ホルダ本体の開口面を覆うホルダカバーと、を備えることを特徴とするウェーハホルダ。

IPC (4件)：

C30B 19/00 , C30B 29/40 501 , H01L 21/208 , H01L 21/68

FI (4件)：

C30B 19/00 Z , C30B 29/40 501 B , H01L 21/208 S , H01L 21/68 T

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開昭60-021897
特開昭60-115271
特開昭62-083398

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