特許
J-GLOBAL ID：200903030049210789
熱電変換モジュールの製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315503
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124707
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：
【要約】【課題】 電極と熱電素子との密着強度が強く、製造が簡単で生産効率の良好な熱電変換モジュールの製造方法を提供するにある。【解決手段】 P型熱電半導体1aとしてビスマス-アンチモン-テルル系とN型熱電半導体1bとしてビスマス-テルル系からなるビスマス-アンチモン-テルル-セレン系熱電半導体1の表面に金属膜2を成膜した後、分断(ダイシング)することで、端部に金属膜2を有する一対以上のP型及びN型の熱電素子3を得、これらを電気的に直列となるよう、電極4が形成された絶縁基板5上の所定の位置に半田付けよって加熱接合してなる熱電変換モジュールの製造方法において、気体にエネルギーを加えることによりイオン化した粒子に、電圧を加えることで、熱電素子表面にイオンを衝突させる、いわゆるプラズマ処理後、スパッタリング又は蒸着にて金属膜2を形成する工程を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法である。
請求項（抜粋）：
P型及びN型ビスマス-アンチモン-テルル-セレン系熱電半導体の表面に金属膜を成膜した後、切断することで、端部に金属膜を有する一対以上のP型及びN型の熱電素子を得、これらを電気的に直列となるよう、電極が形成された絶縁基板上の所定の位置に半田付けによって接合してなる熱電変換モジュールの製造方法において、前記熱電半導体の表面にプラズマ処理後、スパッタリング又は蒸着にて金属膜を形成する工程を含むことを特徴とする熱電変換モジュールの製造方法。
IPC (3件)：
H01L 35/34
, H01L 35/16
, H01L 35/32
H01L 35/34
, H01L 35/16
, H01L 35/32 A
