NAND型フラッシュメモリ素子及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：志賀正武 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-003013
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203286
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 NAND型フラッシュメモリ素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の所定領域に形成され、相平行した複数の素子分離膜、複数の素子分離膜の間の活性領域を横切り、相平行したストリング選択ラインパターン及び接地選択ラインパターン、ストリング選択ラインパターン及び接地選択ラインパターンの間に配置された複数のワードラインパターン、接地選択ラインパターンと隣接し、ストリング選択ラインパターンの反対側の活性領域に形成されたソース領域、ストリング選択ラインパターン隣接し、接地選択ラインパターンの反対側の活性領域に形成されたドレイン領域、ソース領域及びソース領域及の間の素子分離膜上の接地選択ラインパターンと平行に配置され、ソース領域と電気的に接続された共通ソースラインを含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体基板の所定領域に形成され、相平行した複数の素子分離膜、前記複数の素子分離膜の間の活性領域を横切り、相平行したストリング選択ラインパターン及び接地選択ラインパターン、前記ストリング選択ラインパターン及び接地選択ラインパターンの間に配置された複数のワードラインパターン、前記接地選択ラインパターンと隣接し、前記ストリング選択ラインパターンの反対側の活性領域に形成されたソース領域、前記ストリング選択ラインパターン隣接し、前記接地選択ラインパターンの反対側の活性領域に形成されたドレイン領域、前記ソース領域及び前記ソース領域及の間の素子分離膜上の前記接地選択ラインパターンと平行に配置され、前記ソース領域と電気的に接続された共通ソースラインを含むことを特徴とするNAND型フラッシュメモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (2件)：

H01L 27/10 434 , H01L 29/78 371

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-026458 出願人：株式会社東芝
不揮発性メモリ素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-056245 出願人：三星電子株式会社
不揮発性半導体メモリ装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-172450 出願人：株式会社東芝

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