特許
J-GLOBAL ID：200903030094179930
マスク製造システム、マスクデータ作成方法、及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
三好 秀和
, 岩▲崎▼ 幸邦
, 川又 澄雄
, 中村 友之
, 伊藤 正和
, 高橋 俊一
, 高松 俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-152830
公開番号（公開出願番号）：特開2006-330287
出願日： 2005年05月25日
公開日（公表日）： 2006年12月07日
要約：
【課題】 蓄積されたデータ処理環境を再利用することでフォトマスクの開発期間短縮を可能とするマスク製造システムを提供する。【解決手段】 それぞれ論理演算処理及び算術演算処理をする複数の演算処理モジュール404a〜404n、複数の演算処理モジュール404a〜404nのいずれかを被選択モジュールとして選択するモジュール選択部350、被選択モジュールを用い、複数の半導体集積回路の蓄積データのうち被覆率において半導体集積回路の被処理データと等価な蓄積データの光近接効果補正に採用された補正情報を用いて、被処理データを光近接効果補正する光近接効果補正部322、光近接効果補正された被処理データを被選択モジュールを用いてマスクデータに変換する変換部326、マスクデータを読み取り、半導体集積回路に対応するマスクパターンをマスク基板上に描画する描画装置4を備える。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
それぞれ論理演算処理及び算術演算処理をする複数の演算処理モジュールと、
前記複数の演算処理モジュールのいずれかを被選択モジュールとして選択するモジュール選択部と、
前記被選択モジュールを用い、複数の半導体集積回路の蓄積データのうち被覆率において半導体集積回路の被処理データと等価な蓄積データの光近接効果補正に採用された補正情報を用いて、前記被処理データを光近接効果補正する光近接効果補正部と、
光近接効果補正された前記被処理データを前記被選択モジュールを用いてマスクデータに変換する変換部と、
前記マスクデータを読み取り、前記半導体集積回路に対応するマスクパターンをマスク基板上に描画する描画装置
とを備えることを特徴とするマスク製造システム。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
2H095BB01
, 2H095BB10
, 2H095BB31
出願人引用 (1件)
審査官引用 (7件)
全件表示
前のページに戻る
