特許
J-GLOBAL ID：200903030258668121

窒化物半導体発光素子

発明者：
山田 孝夫

山田 孝夫 について


出願人/特許権者：
日亜化学工業株式会社

日亜化学工業株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-147586
公開番号（公開出願番号）：特開2002-344015
出願日： 2001年05月17日
公開日（公表日）： 2002年11月29日
要約：
【要約】【課題】 大電流領域において高い外部量子効率を有し、且つ面発光することが可能な窒化物半導体素子を提供することである。【解決手段】 少なくとも、発光層が該発光層より屈折率の小さいp型クラッド層及びn型クラッド層とにより挟みこまれた構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体層からなる窒化物半導体発光素子であって、前記発光層の端面は、前記半導体層の積層面に対して45度より大きく90度より小さい角度で傾斜していることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
請求項（抜粋）：
少なくとも、発光層が該発光層より屈折率の小さいp型クラッド層及びn型クラッド層とにより挟みこまれた構造を有する窒化ガリウム系化合物半導体層からなる窒化物半導体発光素子であって、前記発光層の端面は、前記半導体層の積層面に対して45度より大きく90度より小さい角度で傾斜していることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (2件)：
H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610
FI (2件)：
H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610
Fターム (24件)：
5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA83 ,  5F041CA92 ,  5F041CB11 ,  5F041CB15 ,  5F073AA11 ,  5F073AA45 ,  5F073AA74 ,  5F073AA83 ,  5F073AB16 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB22 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (5件)
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