特許
J-GLOBAL ID：200903030270998552

強誘電体記憶装置

発明者：
西村 清

西村 清 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 古谷 栄男 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-324143
公開番号（公開出願番号）：特開平10-241375
出願日： 1997年11月26日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：
【要約】【課題】 寿命の長い強誘電体記憶装置を提供する。【解決手段】 切換え信号生成部40は、切換え信号を所定タイミングで自動的に生成する。分極反転制御部36は、切換え信号に基づいて、情報記憶部30を構成する強誘電体記憶素子の分極状態を反転させる。分極反転制御部36は、強誘電体記憶素子の分極状態を反転させたあと、さらに、反転後の分極方向を維持しつつ強誘電体記憶素子に対する書込動作を所定回数行なう。ゲート制御部38は、入力ゲート部32および出力ゲート部34に対し入力ゲート制御信号および出力ゲート制御信号を与えることにより、入出力非反転状態と入出力反転状態とを切換える。したがって、強誘電体記憶素子に保持された情報の内容を維持したまま、強誘電体の分極状態を、適宜、変更することができる。このため、強誘電体記憶素子にくせ付けが生ずることはない。
請求項（抜粋）：
記憶すべき情報を強誘電体の分極状態に対応させ、分極状態を保持することで当該情報を保持する強誘電体記憶素子、を備えた強誘電体記憶装置において、所定の切換え信号に基づいて、前記情報と分極状態との対応関係を変更するよう構成したことを特徴とする強誘電体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 14/00 ,  G11C 11/22
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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