特許
J-GLOBAL ID：200903039133064078

強誘電体メモリおよびその制御方法並びに強誘電体メモリシステム

発明者：
斎 藤 伸 二

斎 藤 伸 二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-316243
公開番号（公開出願番号）：特開平10-162588
出願日： 1996年11月27日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：
【要約】【課題】 強誘電体メモリの保持特性の劣化を解消し、メモリセルの分極量を初期の状態に戻すことのできる強誘電体メモリおよびその制御方法ならびに強誘電体メモリシステムを提供することを目的とする。【解決手段】 強誘電体メモリのデータが格納されている全てのメモリセルに、その分極方向とは逆方向の電界を一旦印加して、その飽和分極量を初期の値に回復させる。このようにして、飽和分極量が回復されたメモリセルには、再びもとのデータが書き込まれる。このような回復操作は、メモリに電源が接続された毎に行うことができ、または、タイマにより管理しても良い。
請求項（抜粋）：
複数のメモリセルを有し、前記メモリセルのそれぞれに配置されている強誘電体に電界を印加して分極させることによって所定のデータを格納する強誘電体メモリであって、前記強誘電体メモリに電源が接続される毎に、少なくともデータが格納されている全ての前記メモリセルへアクセスする回路手段を備えたことを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (2件)：
G11C 14/00 ,  G11C 11/22
FI (2件)：
G11C 11/34 352 A ,  G11C 11/22
引用特許：
審査官引用 (4件)
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