特許

J-GLOBAL ID：200903030310062555

エリアバンプアレイパッケージ、電子部品及びバンプ形成方法

発明者： 三嶋 英武 ,  田村 康司
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-027272
公開番号（公開出願番号）：特開平11-233559
出願日： 1998年02月09日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 エリアバンプアレイパッケージにおけるバンプ接続不良を防止乃至低減する。【解決手段】 エリアバンプアレイパッケージにおいて端子として用いるバンプ35の形状を、略、同体積の球に比べその配置面鉛直方向寸法が大きい柱状、錐状又は錘台状とする。バンプ35による接続を形成するためのリフローを終えると、樹脂基板32が沈み込む。この沈み込みの量δ2は、バンプ35の変形による沈み込み分を含むため、球状のバンプを用いた場合の沈み込み量δ1に比べ大きくなる。沈み込み量がδ1からδ2と拡大するため、樹脂基板32などの大きな反りを吸収することができ、バンプ35に係る接続不良が解消乃至低減される。

請求項（抜粋）：

チップ状部品を収納する平板状のパッケージと、上記パッケージの少なくとも一表面に二次元的に配置され上記チップ状部品に電気的に接続されている金属のバンプとを備えるエリアバンプアレイパッケージにおいて、上記バンプが、実装先基板上の導体との接続に際して変形し略球状となる素材から形成されており、かつ、上記バンプの形状が、略、同体積の球に比べその配置面鉛直方向寸法が大きい柱、錐乃至錘台であることを特徴とするエリアバンプアレイパッケージ。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 電子部品及び電子部品の実装方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-192736   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-204628   出願人：株式会社三井ハイテック
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-238022   出願人：日本電気株式会社
• 半導体実装部品の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-237623   出願人：株式会社日立製作所