半導体レーザ構造体

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：中島淳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-371704
公開番号（公開出願番号）：特開2003-198045
出願日： 2002年12月24日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 p型半導体層の数を減らした窒化物系半導体レーザ構造体の提供。【解決手段】 p型半導体層216とn型半導体層218との間のp-nトンネル接合220は、エッジ発光型窒化物系半導体レーザ構造200のための電流注入を提供する。このp-nトンネル接合220により、窒化物系半導体レーザ構造200におけるp型半導体層の数が減り、それによって分散損失が低減され、閾値電流密度が低下し、全体的な直列抵抗が低下すると共に、より高い成長温度が可能となることによってレーザの構造的な品質が向上する。

請求項（抜粋）：

基板と、複数のIII-V窒化物半導体層の少なくとも1つが活性領域を形成する、前記基板上に形成された前記複数のIII-V窒化物半導体層と、p型の第1の半導体層と、前記第1の半導体層上に形成されたn型の第2の半導体層と、前記活性領域に電流を注入するための、前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間に設けられたトンネル接合手段と、を有する半導体レーザ構造体において、前記半導体レーザ構造体のエッジからのレージングを生じさせるための十分な順方向バイアスが前記活性領域に加えられることを特徴とする、半導体レーザ構造体。

IPC (2件)：

H01S 5/042 610 , H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01S 5/042 610 , H01S 5/323 610

Fターム (13件)：

5F073AA13 , 5F073AA45 , 5F073AA51 , 5F073AA74 , 5F073AA89 , 5F073CA02 , 5F073CA07 , 5F073CA17 , 5F073CB19 , 5F073DA24 , 5F073DA35 , 5F073EA23 , 5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (3件)

3族窒化物半導体レーザ素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-320797 出願人：豊田合成株式会社, 科学技術振興事業団
半導体発光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-229045 出願人：株式会社東芝
半導体レーザ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-226125 出願人：三菱電機株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

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